台湾经济日报6月13日讯，摩根士丹利指出，由于近年来DRAM厂新增产能有限，叠加HBM消耗大量产能，DRAM正迎来前所未有的供需失衡“超级周期”，预计明年HBM供应缺口约11%，标准型DRAM供应缺口则高达23%，为近年罕见，价格将一路上涨。
大摩调升今年第三季DRAM和NAND芯片价格涨幅预估，由原预期8%和10%，上调至13%和20%，调升幅度高达六成以上。相关厂商方面，威刚认为，除了DDR5价格续涨外，DDR4待库存去化告段落，价格也将从8月开始进入第二波涨势，涨幅至少30%以上。十铨则表示，下半年DDR5涨幅有机会达双位数，DDR4与同业看法一致，涨幅上看三成。
TrendForce则指出，尽管消费需求仍疲弱，但第二季主要供货商出货量料将呈现季节性增长，地震灾情不明朗，导致采购态度转变，部分PC OEM开始零星议价，涨幅较TrendForce最初预期高，预估第二季DRAM合约价最终涨幅约13~18%。
图源：台湾经济日报
另一方面，DDR3产能不足状况更显严重。多家存储大厂退出DDR3制造，如三星通知客户将在第2季底停产DDR3；SK海力士在去年底将无锡厂DDR3制程转进DDR4；而美光为扩充DDR5、高频宽记忆体产能，也大幅减少DDR3供应量。
业界人士分析，DDR3应用仍相当广泛，如WiFi 6多采用DDR3，下一代的WiFi 7也仍将以DDR3／DDR4为主。此外，AI与边缘运算等终端设备对DDR3需求持续增加，单一设备搭载容量直线上升，在供给大幅减少、需求不减反增下，或将持续助推DDR3价格上扬。
业界分析，随着主要DRAM厂减产效应持续发酵，带动标准型DRAM价格自2023下半年一路上涨到现在，且后面涨势依然可期，DDR3等利基型内存价格会较标准型DRAM晚一至二季。